Magnétorésistance à effet tunnel

En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel est une propriété de deux matériaux ferromagnétiques scindés par une fine membrane isolante, de l'ordre de 1 nm.

Catégories :

Magnétorésistance - Physique quantique

Source image : www.uhp-nancy.fr
Cette image est un résultat de recherche de Google Image. Elle est peut-être réduite par rapport à l'originale et/ou protégée par des droits d'auteur.

Page(s) en rapport avec ce sujet :

, vol. 94, no6, pp. 068304.1-068304.4 (14 ref. )... Couche mince métallique discontinue ; Magnétorésistance effet tunnel ; Caractéristique courant... (source : cat.inist)
La magnéto-résistance à effet tunnel est une résistance électrique sensible au... of simulation and expertise capabilities in CIVA platform, QNDE Vol.... (source : www-civa.cea)
fondés sur la méthode de résolution des intégrales de volume utilisant le formalisme... La magnéto-résistance à effet tunnel est une résistance électrique... (source : ndt)

En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété de deux matériaux ferromagnétiques scindés par une fine membrane isolante, de l'ordre de 1 nm. La résistance électrique opposée au passage du courant par effet tunnel d'un matériau à l'autre au travers de la couche isolante fluctue alors selon l'orientation relative des deux couches magnétiques, la résistance étant le plus souvent maximale dans un alignement anti-parallèle.

La magnétorésistance à effet tunnel fut découverte en 1975 par Michel Jullière, professeur à l'INSA de Rennes, utilisant du fer comme matériau ferromagnétique et du germanium comme isolant. On ne put cependant réaliser l'effet à température ambiante qu'à partir de 1995, grace aux travaux de Jagadeesh Moodera, à la suite du regain d'intérêt pour le domaine motivé par la découverte de la magnétorésistance géante qui valut le prix Nobel de physique en 2007 à Albert Fert et Peter Grünberg.

Cet effet est actuellement à la base de la mémoire magnétique (MRAM) et des capteurs de disques durs. Les utilisations de cet effet pourraient s'étendre de la nanotechnologie à l'électronique de spin.

Références

(en) Cet article est partiellement ou en totalité issu d'une traduction de l'article de Wikipédia en anglais intitulé «Tunnel magnetoresistance».
M. Julliere, «Tunneling between ferromagnetic films», dans Phys. Lett. , vol. 54A, 1975, p. 225-226 (en) sciencedirect

J. S. Moodera et. al. , «Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions», dans Phys. Rev. Lett. , vol. 74, 1995, p. 3273–3276 (en) aps

G. Binasch et. al. , «Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange», dans Phys. Rev. B, vol. 39, 1989, p. 4828–4830 (en) aps

M. N. Baibich et. al. , «Giant Magnetoresistance of (001) Fe/ (001) Cr Magnetic Superlattices», dans Phys. Rev. Lett. , vol. 61, 1988, p. 2472–2475 (en) aps

J. S. Moodera and George Mathon, «Spin polarized tunneling in ferromagnetic junctions», dans Magn. Magn. Mater. , vol. 200, 1999, p. 248-273 (en) sciencedirect

Recherche sur Amazone (livres) :

Ce texte est issu de l'encyclopédie Wikipedia. Vous pouvez consulter sa version originale dans cette encyclopédie à l'adresse http://fr.wikipedia.org/wiki/Magn%C3%A9tor%C3%A9sistance_%C3%A0_effet_tunnel.
Voir la liste des contributeurs.
La version présentée ici à été extraite depuis cette source le 13/04/2009.
Ce texte est disponible sous les termes de la licence de documentation libre GNU (GFDL).
La liste des définitions proposées en tête de page est une sélection parmi les résultats obtenus à l'aide de la commande "define:" de Google.
Cette page fait partie du projet Wikibis.