Magnétorésistance à effet tunnel
En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel est une propriété de deux matériaux ferromagnétiques scindés par une fine membrane isolante, de l'ordre de 1 nm.
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- , vol. 94, no6, pp. 068304.1-068304.4 (14 ref. )... Couche mince métallique discontinue ; Magnétorésistance effet tunnel ; Caractéristique courant... (source : cat.inist)
- La magnéto-résistance à effet tunnel est une résistance électrique sensible au... of simulation and expertise capabilities in CIVA platform, QNDE Vol.... (source : www-civa.cea)
- fondés sur la méthode de résolution des intégrales de volume utilisant le formalisme... La magnéto-résistance à effet tunnel est une résistance électrique... (source : ndt)
En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (abrégée TMR) est une propriété de deux matériaux ferromagnétiques scindés par une fine membrane isolante, de l'ordre de 1 nm. La résistance électrique opposée au passage du courant par effet tunnel d'un matériau à l'autre au travers de la couche isolante fluctue alors selon l'orientation relative des deux couches magnétiques, la résistance étant le plus souvent maximale dans un alignement anti-parallèle.
La magnétorésistance à effet tunnel fut découverte en 1975 par Michel Jullière, professeur à l'INSA de Rennes, utilisant du fer comme matériau ferromagnétique et du germanium comme isolant. On ne put cependant réaliser l'effet à température ambiante qu'à partir de 1995, grace aux travaux de Jagadeesh Moodera, à la suite du regain d'intérêt pour le domaine motivé par la découverte de la magnétorésistance géante qui valut le prix Nobel de physique en 2007 à Albert Fert et Peter Grünberg.
Cet effet est actuellement à la base de la mémoire magnétique (MRAM) et des capteurs de disques durs. Les utilisations de cet effet pourraient s'étendre de la nanotechnologie à l'électronique de spin.
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu d'une traduction de l'article de Wikipédia en anglais intitulé «Tunnel magnetoresistance».
- M. Julliere, «Tunneling between ferromagnetic films», dans Phys. Lett. , vol. 54A, 1975, p. 225-226 (en) sciencedirect
- J. S. Moodera et. al. , «Large Magnetoresistance at Room Temperature in Ferromagnetic Thin Film Tunnel Junctions», dans Phys. Rev. Lett. , vol. 74, 1995, p. 3273–3276 (en) aps
- G. Binasch et. al. , «Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange», dans Phys. Rev. B, vol. 39, 1989, p. 4828–4830 (en) aps
- M. N. Baibich et. al. , «Giant Magnetoresistance of (001) Fe/ (001) Cr Magnetic Superlattices», dans Phys. Rev. Lett. , vol. 61, 1988, p. 2472–2475 (en) aps
- J. S. Moodera and George Mathon, «Spin polarized tunneling in ferromagnetic junctions», dans Magn. Magn. Mater. , vol. 200, 1999, p. 248-273 (en) sciencedirect
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